多重尋址是一種尋址方案，其中一次（或幾行）圖像的順序被順序尋址，直到整個屏幕被繪制為止。然后重復尋址。圖片元素（像素，圖標，段）排列成矩陣。矩陣布置是物理的或電的。在物理布置中，像素在圖形陣列內按行和列排列。在電氣裝置中，COM（公共）電極等效于行，而SEG電極等效于列。行和列的交叉形成了以液晶為電介質的電容器。
6行矩陣的多路尋址中的行和列信號。每個像素上的結果場等于行電壓和列電壓的瞬時差。但是，LC響應所施加信號的RMS值，該值對于指示的亮像素和暗像素是不同的。
多重尋址適用于液晶顯示器，因為向列液晶響應施加信號的RMS值而不響應即時施加的場。導通和截止像素的所得RMS電壓之比（Von / Voff）是多路尋址中要尋址的行數（N）的函數。該函數以其第一作者的名字命名為Alt-Pleshko極限：
要處理的行越多，通斷電壓之比越小。更高的行數還要求液晶顯示器在傳輸電壓特性內具有更陡峭的過渡。STN顯示屏的過渡要比TN顯示屏陡峭，因此STN顯示屏的行數可以比TN顯示屏更多。
列信號和行信號的幅度之比稱為“偏差比率B”。行數的平方根（N）是理想的偏差比率，因為它會導致最大的Von：Voff比率。N通常表示為復用比1 / N。倍數和偏置比是必須指定并編程到LCD驅動器/控制器中的參數。